IRFU9N20D
- Modèle de produit:
- IRFU9N20D
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 34670 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- IRFU9N20D.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | IPAK (TO-251) |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 86W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms: | *IRFU9N20D |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 560pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| Description détaillée: | N-Channel 200V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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