IPI60R125CPXKSA1
- Modèle de produit:
- IPI60R125CPXKSA1
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12711 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- IPI60R125CPXKSA1.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1.1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO262-3 |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 208W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | IPI60R125CP IPI60R125CP-ND SP000297355 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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