GSID600A120S4B1
- Modèle de produit:
- GSID600A120S4B1
- Fabricant:
- Global Power Technologies Group
- La description:
- SILICON IGBT MODULES
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 39616 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- GSID600A120S4B1.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 600A |
| Package composant fournisseur: | Module |
| Séries: | Amp+™ |
| Puissance - Max: | 3060W |
| Package / Boîte: | Module |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C |
| NTC thermistance: | Yes |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 51nF @ 25V |
| Contribution: | Standard |
| type de IGBT: | - |
| Description détaillée: | IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1130A |
| Configuration: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
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