GB10SLT12-252
- Modèle de produit:
- GB10SLT12-252
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 79728 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- GB10SLT12-252.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 2V @ 10A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1200V |
| Package composant fournisseur: | TO-252 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | 1242-1140 GB10SLT12252 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Surface Mount TO-252 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 250µA @ 1200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 10A |
| Capacité à Vr, F: | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Numéro de pièce de base: | GB10SLT12 |
| Email: | [email protected] |
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