GAP05SLT80-220
- Modèle de produit:
- GAP05SLT80-220
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 43636 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- GAP05SLT80-220.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 50mA (DC) |
| Tension - Ventilation: | - |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tube |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 25pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisation: | Axial |
| Autres noms: | 1242-1257 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 0ns |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | GAP05SLT80-220 |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole |
| Configuration diode: | 3.8µA @ 8000V |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 4.6V @ 50mA |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 8000V (8kV) |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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