FGH50T65SQD-F155
- Modèle de produit:
- FGH50T65SQD-F155
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- 650V FS4 TRENCH IGBT
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 54969 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- FGH50T65SQD-F155.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 50A |
| Condition de test: | 400V, 12.5A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 22ns/105ns |
| énergie de commutation: | 180µJ (on), 45µJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-247-3 |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 31ns |
| Puissance - Max: | 268W |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Autres noms: | FGH50T65SQD-F155-ND FGH50T65SQD-F155OS FGH50T65SQD_F155 FGH50T65SQD_F155-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | Trench Field Stop |
| gate charge: | 99nC |
| Description détaillée: | IGBT Trench Field Stop 650V 100A 268W Through Hole TO-247-3 |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 200A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100A |
| Email: | [email protected] |
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