FGA70N33BTDTU
- Modèle de produit:
- FGA70N33BTDTU
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- IGBT 330V 149W TO3P
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 26719 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- FGA70N33BTDTU.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 330V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 1.7V @ 15V, 70A |
| Condition de test: | - |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | - |
| énergie de commutation: | - |
| Package composant fournisseur: | TO-3P |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 23ns |
| Puissance - Max: | 149W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | Trench |
| gate charge: | 49nC |
| Description détaillée: | IGBT Trench 330V 149W Through Hole TO-3P |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 220A |
| Email: | [email protected] |
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