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EPC2102ENGRT
EPC2102ENGRT
Modèle de produit:
EPC2102ENGRT
Fabricant:
EPC
La description:
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15658 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EPC2102ENGRT.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 7mA
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.4 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max:-
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-EPC2102ENGRCT
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.8nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:23A (Tj)
Email:[email protected]

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