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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2033
EPC2033
EPC2033
Modèle de produit:
EPC2033
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
62285 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EPC2033.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 9mA
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 25A, 5V
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-1131-1
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 75V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension drain-source (Vdss):150V
Description détaillée:N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:31A (Ta)
Email:[email protected]

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