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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7
Modèle de produit:
DMG8601UFG-7
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
77531 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DMG8601UFG-7.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:1.05V @ 250µA
Package composant fournisseur:U-DFN3030-8
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Puissance - Max:920mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerUDFN
Autres noms:DMG8601UFG-7DITR
DMG8601UFG7
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:143pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8.8nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.1A
Numéro de pièce de base:DMG8601UFG
Email:[email protected]

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