BSC048N025S G
- Modèle de produit:
- BSC048N025S G
- La description:
- MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 54958 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- BSC048N025S G.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 35µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TDSON-8 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.8 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.8W (Ta), 63W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | BSC048N025SG BSC048N025SGINCT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2670pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 25V |
| Description détaillée: | N-Channel 25V 19A (Ta), 89A (Tc) 2.8W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 19A (Ta), 89A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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