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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT50GS60BRDQ2G
APT50GS60BRDQ2G
APT50GS60BRDQ2G
Modèle de produit:
APT50GS60BRDQ2G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 93A 415W TO247
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
53115 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APT50GS60BRDQ2G.pdf2.APT50GS60BRDQ2G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.15V @ 15V, 50A
Condition de test:400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:16ns/225ns
énergie de commutation:755µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:Thunderbolt IGBT®
Temps de recouvrement inverse (trr):25ns
Puissance - Max:415W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:APT50GS60BRDQ2GMI
APT50GS60BRDQ2GMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:235nC
Description détaillée:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):195A
Courant - Collecteur (Ic) (max):93A
Email:[email protected]

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