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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT36GA60B
APT36GA60B
APT36GA60B
Modèle de produit:
APT36GA60B
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 65A 290W TO-247
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
21877 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT36GA60B.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 20A
Condition de test:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:16ns/122ns
énergie de commutation:307µJ (on), 254µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:POWER MOS 8™
Puissance - Max:290W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:102nC
Description détaillée:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):109A
Courant - Collecteur (Ic) (max):65A
Email:[email protected]

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