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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT35GA90BD15
APT35GA90BD15
APT35GA90BD15
Modèle de produit:
APT35GA90BD15
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 900V 63A 290W TO247
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
39572 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APT35GA90BD15.pdf2.APT35GA90BD15.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):900V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.1V @ 15V, 18A
Condition de test:600V, 18A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:12ns/104ns
énergie de commutation:642µJ (on), 382µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:-
Puissance - Max:290W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:APT35GA90BD15MI
APT35GA90BD15MI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:84nC
Description détaillée:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):105A
Courant - Collecteur (Ic) (max):63A
Email:[email protected]

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