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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT15GN120BDQ1G
APT15GN120BDQ1G
APT15GN120BDQ1G
Modèle de produit:
APT15GN120BDQ1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 45A 195W TO247
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
61660 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APT15GN120BDQ1G.pdf2.APT15GN120BDQ1G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 15A
Condition de test:800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:10ns/150ns
énergie de commutation:410µJ (on), 950µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:-
Puissance - Max:195W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:APT15GN120BDQ1GMI
APT15GN120BDQ1GMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:90nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):45A
Courant - Collecteur (Ic) (max):45A
Email:[email protected]

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