État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 5mA, 50mA |
Transistor Type: | PNP |
Package composant fournisseur: | NS-B1 |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 300mW |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | NS-B1 |
Autres noms: | 2SA1309AQACT 2SA1309AQCT 2SA1309AQCT-ND |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 80MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 160 @ 2mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1µA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Numéro de pièce de base: | 2SA1309 |
Email: | [email protected] |