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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BYV29-600,127 Image BYV29-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC Investigación
BT131-600/DG,116 Image BT131-600/DG,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA204S-600D,118 Image BTA204S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Investigación
BT131-600,412 Image BT131-600,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BT131-800EQP BT131-800E/TO-92/STANDARD MARK Investigación
BUJ403A/DG,127 Image BUJ403A/DG,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Investigación
ACTT12X-800CTQ ACTT12X-800CT/TO-220F/STANDARD Investigación
BTA310-600E,127 Image BTA310-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Investigación
BTA308X-800B0Q BTA308X-800B0/TO-220F/STANDARD Investigación
ACTT8B-800C0TJ ACTT8B-800C0T/D2PAK/REEL 13" Q Investigación
BYQ28E-200/H,127 Image BYQ28E-200/H,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Investigación
BYC10DX-600,127 Image BYC10DX-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F Investigación
BTA202X-800E,127 Image BTA202X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220-3 Investigación
BTA316X-600C/L02Q BTA316X-600C/L02/TO-220F/STAND Investigación
BYV32E-200PQ DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Investigación
BTA425Y-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220AB Investigación
Z0103NA,412 Image Z0103NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BYV74W-400,127 Image BYV74W-400,127 DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247-3 Investigación
OT407,412 TRIAC SOT54A Investigación
BT137-600E/L01,127 Image BT137-600E/L01,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Investigación
BT258-500R,127 Image BT258-500R,127 THYRISTOR 500V 8A TO220AB Investigación
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD Investigación
TB100ML TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Investigación
ACTT6B-800CNJ ACTT6B-800CN/D2PAK/REEL 13" Q1 Investigación
BYV25G-600,127 Image BYV25G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK Investigación
BTA204X-600B/L03Q Image BTA204X-600B/L03Q TRIAC 600V 4A Investigación
BYR29X-800,127 Image BYR29X-800,127 DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F Investigación
OT408,135 Image OT408,135 TRIAC STANDARD TO261-4 Investigación
BTA208X-800F,127 Image BTA208X-800F,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Investigación
BYW29E-200,127 Image BYW29E-200,127 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Investigación
BT169G-L,412 Image BT169G-L,412 THYRISTOR 600V SOT54 Investigación
BT169G-LML BT169G-L/TO-92/STANDARD MARKIN Investigación
BTA312-600E,127 Image BTA312-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Investigación
BT137X-800/L02,127 Image BT137X-800/L02,127 TRIAC 800V 8A TO220F Investigación
BT136S-800F,118 Image BT136S-800F,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
BTA410-600ET,127 Image BTA410-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Investigación
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CT/I2PAK/STANDARD M Investigación
BTA216-600B/DG,127 Image BTA216-600B/DG,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
BTA204S-600F,118 Image BTA204S-600F,118 TRIAC 600V 4A DPAK Investigación
BTA312B-800C,118 Image BTA312B-800C,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Investigación
BT134-800,127 Image BT134-800,127 TRIAC 800V 4A SOT82-3 Investigación
BT151S-650R,118 Image BT151S-650R,118 THYRISTOR 650V 12A DPAK Investigación
PHE13005,127 Image PHE13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Investigación
BTA204S-600B,118 Image BTA204S-600B,118 TRIAC 600V 4A DPAK Investigación
BTA216X-600B,127 Image BTA216X-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Investigación
BTA204X-600B,127 Image BTA204X-600B,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Investigación
BTA316-800CTQ BTA316-800CTQ/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
BYC8X-600,127 Image BYC8X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Investigación
BYV25F-600,127 Image BYV25F-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC Investigación
BTA310-800C,127 Image BTA310-800C,127 TRIAC 800V 10A TO220AB Investigación
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