SI4567DY-T1-GE3
Número de pieza:
SI4567DY-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
29948 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI4567DY-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 4.1A, 10V
Potencia - Max:2.75W, 2.95W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:355pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A, 4.4A
Número de pieza base:SI4567
Email:[email protected]

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