SI1023CX-T1-GE3
SI1023CX-T1-GE3
Número de pieza:
SI1023CX-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
41103 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI1023CX-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:756 mOhm @ 350mA, 4.5V
Potencia - Max:220mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:SI1023CX-T1-GE3-ND
SI1023CX-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:45pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 220mW Surface Mount SC-89-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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