SCS302AHGC9
- Número de pieza:
- SCS302AHGC9
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
- Cantidad disponible:
- 62813 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SCS302AHGC9.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.5V @ 2A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | TO-220ACP |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 23 Weeks |
| Estado sin plomo: | Lead free |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 2.15A (DC) Through Hole TO-220ACP |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10.8µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 2.15A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 110pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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