MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR
- Número de pieza:
- MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 41879 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 2.5 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | FLASH - NAND |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Otros nombres: | MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR-ND MT29E1T08CMHBBJ4-3:BTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 1Tb (128G x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FLASH - NAND Memory IC 1Tb (128G x 8) Parallel 333MHz |
| Frecuencia de reloj: | 333MHz |
| Email: | [email protected] |
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