Condición | New & Unused, Original Packing |
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Origen | Contact us |
VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±30V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-3P |
Serie: | QFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 75 mOhm @ 17A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 210W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3100pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
Descripción detallada: | N-Channel 200V 34A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3P |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
Email: | [email protected] |