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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC2012
EPC2012
EPC2012
Número de pieza:
EPC2012
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
6283 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
EPC2012.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -5V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 3A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-1017-6
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:145pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.8nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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