DG636EN-T1-E4
- Número de pieza:
- DG636EN-T1-E4
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- IC SWITCH DUAL SPDT 16-MINIQFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 11197 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- DG636EN-T1-E4.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Suministro de voltaje, Sencilla (V +): | 2.7 V ~ 12 V |
| Alimentación de voltaje, Dual (V ±): | ±2.7 V ~ 5 V |
| Tiempo de conmutación (Ton, Toff) (máx.): | 60ns, 52ns |
| Circuito de interruptores: | SPDT |
| Paquete del dispositivo: | 16-miniQFN (1.8x2.6) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 16-WFQFN |
| Otros nombres: | DG636EN-T1-E4TR DG636ENT1E4 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Resistencia en el estado (Max): | 115 Ohm |
| Número de circuitos: | 2 |
| Circuito Multiplexor / Demultiplexor: | 2:1 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | 2 Circuit IC Switch 2:1 115 Ohm 16-miniQFN (1.8x2.6) |
| Corriente - Fuga (IS (apagado)) (Máx.): | 100pA |
| Crosstalk: | -88dB @ 10MHz |
| Inyección de Carga: | 0.1pC |
| Comparación de canal a canal (ΔRon): | 1 Ohm |
| Capacitancia del canal (CS (apagado), CD (apagado)): | 2.1pF, 4.2pF |
| Número de pieza base: | DG636 |
| Ancho de banda de -3 dB: | 610MHz |
| Email: | [email protected] |
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