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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > APT20M45BVRG
APT20M45BVRG
APT20M45BVRG
Número de pieza:
APT20M45BVRG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
32540 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.APT20M45BVRG.pdf2.APT20M45BVRG.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247 [B]
Serie:POWER MOS V®
RDS (Max) @Id, Vgs:45 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4860pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:195nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 56A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:56A (Tc)
Email:[email protected]

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