SQ4949EY-T1_GE3
- Artikelnummer:
- SQ4949EY-T1_GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
- verfügbare Anzahl:
- 68549 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SQ4949EY-T1_GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOIC |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Leistung - max: | 3.3W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1020pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 7.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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