SIDR638DP-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SIDR638DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 100A SO-8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 52145 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.SIDR638DP-T1-GE3.pdf2.SIDR638DP-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +20V, -16V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® SO-8DC |
| Serie: | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 125W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® SO-8 |
| Andere Namen: | SIDR638DP-T1-GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 10500pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 204nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 40V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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