RS1E170GNTB
- Artikelnummer:
- RS1E170GNTB
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 76630 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.RS1E170GNTB.pdf2.RS1E170GNTB.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-HSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.7 mOhm @ 17A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3W (Ta), 23.7W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | RS1E170GNTBTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 40 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 17A (Ta) 3W (Ta), 23.7W (Tc) Surface Mount 8-HSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 17A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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