RD3T100CNTL1
- Artikelnummer:
- RD3T100CNTL1
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- NCH 200V 10A POWER MOSFET
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 31002 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- RD3T100CNTL1.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.25V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 182 mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 85W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | RD3T100CNTL1CT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 13 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 200V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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