Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±13V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-223 |
Serie: | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 5A, 5V |
Verlustleistung (max): | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-261-4, TO-261AA |
Andere Namen: | 934054590135 PHT11N06LT /T3 PHT11N06LT /T3-ND |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 55V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 55V 4.9A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.9A (Ta) |
Email: | [email protected] |