NTD6600N-1G
- Artikelnummer:
- NTD6600N-1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 79729 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NTD6600N-1G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I-PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 146 mOhm @ 6A, 5V |
| Verlustleistung (max): | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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