Bedingung | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-220-3 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 15V, 50A |
Verlustleistung (max): | 2.1W (Ta), 200W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
Andere Namen: | NDPL180N10BGOS |
Betriebstemperatur: | 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6950pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V, 15V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 180A (Ta) 2.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 180A (Ta) |
Email: | [email protected] |