MT47H512M4EB-25E:C TR
- Artikelnummer:
- MT47H512M4EB-25E:C TR
- Hersteller:
- Micron Technology
- Beschreibung:
- IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 8947 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- MT47H512M4EB-25E:C TR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 15ns |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologie: | SDRAM - DDR2 |
| Supplier Device-Gehäuse: | 60-FBGA (9x11.5) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 60-TFBGA |
| Andere Namen: | MT47H512M4EB-25E:C TR-ND MT47H512M4EB-25E:CTR |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 2Gb (512M x 4) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5) |
| Uhrfrequenz: | 400MHz |
| Basisteilenummer: | MT47H512M4 |
| Zugriffszeit: | 400ps |
| Email: | [email protected] |
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