Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 160V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 200mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ: | 2 NPN (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-363 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 200mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen: | MMDT5551DITR MMDT5551TR MMDT5551TR-ND |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang: | 300MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 200mA |
Basisteilenummer: | MMDT5551 |
Email: | [email protected] |