MJ11028G
- Artikelnummer:
- MJ11028G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN DARL 60V 50A TO3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 57894 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- MJ11028G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 3.5V @ 500mA, 50A |
| Transistor-Typ: | NPN - Darlington |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 300W |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-204AE |
| Andere Namen: | MJ11028GOS MJ11028GOS-ND MJ11028GOS-NDOS MJ11028GOSOS |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 30 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 50A 300W Through Hole TO-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 1000 @ 25A, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 2mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
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