KSD1221GTU
- Artikelnummer:
- KSD1221GTU
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 60V 3A I-PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 75085 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- KSD1221GTU.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 300mA, 3A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | I-PAK |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 1W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 3MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 1W Through Hole I-PAK |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 150 @ 500mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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