Bedingung | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 30V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 800mV @ 200mA, 2A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-220-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 10W |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 100MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 100MHz 10W Through Hole TO-220-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 70 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 3A |
Email: | [email protected] |