Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 350V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 4mA, 50mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-5 |
Serie: | Military, MIL-PRF-19500/368 |
Leistung - max: | 800mW |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Andere Namen: | 1086-3073 1086-3073-MIL |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 20 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Through Hole TO-5 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 40 @ 20mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 2µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
Email: | [email protected] |