IXYK100N65B3D1
- Artikelnummer:
- IXYK100N65B3D1
- Hersteller:
- IXYS Corporation
- Beschreibung:
- IGBT
- verfügbare Anzahl:
- 12458 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IXYK100N65B3D1.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.85V @ 15V, 70A |
| Testbedingung: | 400V, 50A, 3 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 29ns/150ns |
| Schaltenergie: | 1.27mJ (on), 2mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-264 |
| Serie: | XPT™, GenX3™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 37ns |
| Leistung - max: | 830W |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-264-3, TO-264AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 26 Weeks |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | - |
| Gate-Ladung: | 168nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT 650V 225A 830W Through Hole TO-264 |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 460A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 225A |
| Email: | [email protected] |
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