Bedingung | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±30V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-220F |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7 Ohm @ 1.1A, 10V |
Verlustleistung (max): | 32W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 Full Pack |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
detaillierte Beschreibung: | P-Channel 200V 2.2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |