Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | - |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse: | EMT6 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 22 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 22 kOhms |
Leistung - max: | 150mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen: | EMD2FHAT2RTR |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 7 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 250MHz |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 56 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |