Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse: | SST3 |
Serie: | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 2.2 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
Leistung - max: | 200mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen: | DTB123ECMGT116 DTB123ECT116TR |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 200MHz |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 39 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
Email: | [email protected] |