Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse: | Mini3-G3-B |
Serie: | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 2.2 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
Leistung - max: | 200mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen: | DRC2123E0L-ND DRC2123E0LTR |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 11 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 6 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Basisteilenummer: | DRC2123 |
Email: | [email protected] |