DMT10H015LSS-13
- Artikelnummer:
- DMT10H015LSS-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 8.3A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 71548 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- DMT10H015LSS-13.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.2W (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | DMT10H015LSS-13DICT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1871pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33.3nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 8.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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