BQ4011YMA-200
Artikelnummer:
BQ4011YMA-200
Hersteller:
TI
Beschreibung:
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
76990 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
BQ4011YMA-200.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:200ns
Spannungsversorgung:4.5 V ~ 5.5 V
Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse:28-DIP Module (18.42x37.72)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:NVSRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-DIP Module (18.42x37.72)
Basisteilenummer:BQ4011
Zugriffszeit:200ns
Email:[email protected]

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