Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 12V |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-23-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 580mW |
Verpackung: | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen: | BFR193E6327HTSA1DKR BFR193E6327INDKR BFR193E6327INDKR-ND |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f): | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 26 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen: | 10dB ~ 15dB |
Frequenz - Übergang: | 8GHz |
detaillierte Beschreibung: | RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount SOT-23-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 70 @ 30mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 80mA |
Basisteilenummer: | BFR193 |
Email: | [email protected] |