Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 12V |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | 35 micro-X |
Serie: | - |
Leistung - max: | 500mW |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | 4-SMD (35 micro-X) |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f): | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen: | 10dB ~ 18dB |
Frequenz - Übergang: | 8GHz |
detaillierte Beschreibung: | RF Transistor NPN 12V 60mA 8GHz 500mW Surface Mount 35 micro-X |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 10mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 60mA |
Email: | [email protected] |