Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 250V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 625mW |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang: | 200MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 45 @ 50mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
Basisteilenummer: | 2N6515 |
Email: | [email protected] |