2N5639G
- Artikelnummer:
- 2N5639G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- JFET N-CH 35V 0.31W TO92
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 72045 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 2N5639G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS): | 35V |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistance - RDS (on): | 60 Ohms |
| Leistung - max: | 310mW |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 10pF @ 12V (VGS) |
| Typ FET: | N-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | JFET N-Channel 35V 310mW Through Hole TO-92-3 |
| Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0): | 25mA @ 20V |
| Basisteilenummer: | 2N5639 |
| Email: | [email protected] |
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