2N2432UB
- Artikelnummer:
- 2N2432UB
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- BJTS
- verfügbare Anzahl:
- 23113 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 2N2432UB.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 30V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | UB |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 360mW |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-SMD, No Lead |
| Andere Namen: | 2N2432UBMS |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 360mW Surface Mount UB |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 10nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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